En électronique, vous savez généralement que vous êtes sur une bonne chose lorsque les entreprises et les chercheurs se bousculent pratiquement pour se familiariser avec une nouvelle technologie avant les autres..

Le développement de la mémoire magnétorésistive à accès aléatoire (MRAM), qui occupe actuellement les laboratoires d'IBM, de Toshiba et d'un groupe de scientifiques allemands, semble susciter un tel intérêt..

Petits aimants

La vision allemande de la MRAM implique des aimants à l'échelle nanométrique qui inversent la polarité pour stocker les chiffres binaires. Ce qui diffère des travaux d’IBM et de Toshiba, c’est la vitesse à laquelle ces retournements se stabilisent en zéros ou en zéros cohérents..

Futur parfait?

Le résultat est, en théorie, une mémoire 30 fois plus rapide que la mémoire RAM classique la plus rapide actuellement disponible.

Si jamais l’équipe développait un appareil MRAM en état de marche, elle allierait vitesse et faible consommation d’énergie, ce qui en ferait un appareil parfait pour les appareils mobiles du futur..